Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI4110DY-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6433135

SI4110DY-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI4110DY-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI4110DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SO
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 11.7A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Ostatní jména
    SI4110DY-T1-GE3TR
    SI4110DYT1GE3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2205pF @ 40V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    80V
  • Detailní popis
    N-Channel 80V 17.3A (Tc) 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    17.3A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI4110DY-T1-GE3“.
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4112-D-GMR

SI4112-D-GMR

Popis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4112-D-GT

SI4112-D-GT

Popis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Popis: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4113-D-GM

SI4113-D-GM

Popis: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4112-EVB

SI4112-EVB

Popis: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4112-D-GTR

SI4112-D-GTR

Popis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4112-BM

SI4112-BM

Popis: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4112-BT

SI4112-BT

Popis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4112-D-GM

SI4112-D-GM

Popis: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4113-BT

SI4113-BT

Popis: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.