Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI2318DS-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
392837

SI2318DS-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.65
10+
$0.545
100+
$0.409
500+
$0.30
1000+
$0.232
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI2318DS-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI2318DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 3.9A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    750mW (Ta)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Ostatní jména
    SI2318DS-T1-GE3DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    33 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    540pF @ 20V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI2318DS-T1-GE3“.
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2321-TP

SI2321-TP

Popis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CHAN 40V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.