Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > ZXMNS3BM832TA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6081497ZXMNS3BM832TA Image.Diodes Incorporated

ZXMNS3BM832TA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ZXMNS3BM832TA
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    ZXMNS3BM832TA.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-MLP, MicroFET (3x2)
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    1W (Ta)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    8-VDFN Exposed Pad
  • Ostatní jména
    ZXMNS3BM832DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    314pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    Schottky Diode (Isolated)
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    2.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ZXMNS3BM832TA“.
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Popis: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A17GQTC

ZXMP10A17GQTC

Popis: MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA

Popis: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A17GQTA

ZXMP10A17GQTA

Popis: MOSFET P-CH 100V SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Popis: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Popis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Popis: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Popis: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Popis: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTA

Popis: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Popis: MOSFET N-CH 60V 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Popis: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A17E6TA

ZXMP10A17E6TA

Popis: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A17KTC

ZXMP10A17KTC

Popis: MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA

Popis: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Popis: MOSFET N-CH 60V DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC

Popis: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Popis: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.