Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > ZXMN6A11GTA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5188700ZXMN6A11GTA Image.Diodes Incorporated

ZXMN6A11GTA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.85
10+
$0.742
100+
$0.573
500+
$0.424
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ZXMN6A11GTA
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    ZXMN6A11GTA.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-223
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2W (Ta)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    TO-261-4, TO-261AA
  • Ostatní jména
    ZXMN6A11GDKR
    ZXMN6A11GDKRINACTIVE
    ZXMN6A11GDKRINACTIVE-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    330pF @ 40V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    5.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3.1A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ZXMN6A11GTA“.
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Popis: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Popis: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Popis: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Popis: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Popis: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Popis: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Popis: MOSFET N-CH 60V 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Popis: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Popis: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Popis: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Popis: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Popis: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Popis: MOSFET N-CH 60V DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Popis: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.