Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > ZXMN3A01E6TA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2031015ZXMN3A01E6TA Image.Diodes Incorporated

ZXMN3A01E6TA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.258
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ZXMN3A01E6TA
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    ZXMN3A01E6TA.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-23-6
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.1W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-23-6
  • Ostatní jména
    ZXMN3A01E6TR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    190pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    3.9nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 2.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    2.4A (Ta)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ZXMN3A01E6TA“.
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2A14FTA

ZXMN2A14FTA

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA

Popis: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

Popis: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Popis: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Popis: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Popis: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Popis: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Popis: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.