Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMTH4007LPSQ-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
840169DMTH4007LPSQ-13 Image.Diodes Incorporated

DMTH4007LPSQ-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.483
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMTH4007LPSQ-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET NCH 40V 15.5A POWERDI
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMTH4007LPSQ-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerDI5060-8
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.7W (Ta), 150W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    DMTH4007LPSQ-13-ND
    DMTH4007LPSQ-13DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1895pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    29.1nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 15.5A (Ta), 100A (Tc) 2.7W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    15.5A (Ta), 100A (Tc)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMTH4007LPSQ-13“.
DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13

Popis: MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4007LK3-13

DMTH4007LK3-13

Popis: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4004SPS-13

DMTH4004SPS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4007LK3Q-13

DMTH4007LK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 16.8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4007LPS-13

DMTH4007LPS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13

Popis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Popis: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4005SPS-13

DMTH4005SPS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4005SCT

DMTH4005SCT

Popis: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Popis: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4005SK3-13

DMTH4005SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 95A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Popis: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4007SPSQ-13

DMTH4007SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4005SPSQ-13

DMTH4005SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH POWERDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4007SPS-13

DMTH4007SPS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4007SK3-13

DMTH4007SK3-13

Popis: MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4004SPSQ-13

DMTH4004SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4005SK3Q-13

DMTH4005SK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 40V 95A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.