Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMN67D8LDW-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4207144DMN67D8LDW-7 Image.Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.091
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN67D8LDW-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN67D8LDW-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-363
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Power - Max
    320mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    0.82nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 320mW Surface Mount SOT-363
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    230mA

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN67D8LDW-7“.
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Popis: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Popis: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Popis: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Popis: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Popis: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Popis: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Popis: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Popis: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.