Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN60H080DS-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4425291DMN60H080DS-13 Image.Diodes Incorporated

DMN60H080DS-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
10000+
$0.081
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN60H080DS-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN60H080DS-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-23-3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    100 Ohm @ 60mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.1W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    1.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    80mA (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN60H080DS-13“.
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Popis: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6069SE-13

DMN6069SE-13

Popis: MOSFETN-CH 60VSOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.