Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN6013LFG-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
977704DMN6013LFG-13 Image.Diodes Incorporated

DMN6013LFG-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.352
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN6013LFG-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN6013LFG-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerDI3333-8
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 10A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerWDFN
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2577pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    55.4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    10.3A (Ta), 45A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN6013LFG-13“.
DMN5L06VAK-7

DMN5L06VAK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN601DWKQ-7

DMN601DWKQ-7

Popis: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06TK-7

DMN5L06TK-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6013LFGQ-7

DMN6013LFGQ-7

Popis: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06VA-7

DMN5L06VA-7

Popis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN601DMK-7

DMN601DMK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06VKQ-7

DMN5L06VKQ-7

Popis: MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06VK-7

DMN5L06VK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13

Popis: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06W-7

DMN5L06W-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06WK-7

DMN5L06WK-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06T-7

DMN5L06T-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6017SK3-13

DMN6017SK3-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN6013LFG-7

DMN6013LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN601K-7

DMN601K-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN601VK-7

DMN601VK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN601TK-7

DMN601TK-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN5L06V-7

DMN5L06V-7

Popis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.