Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN3016LFDF-7

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

1531953

DMN3016LFDF-7 Image.

Diodes Incorporated

DMN3016LFDF-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

3000+

$0.177

Online poptávka

Specifikace

Part Number

DMN3016LFDF-7
Výrobce / značka

Diodes Incorporated
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

DMN3016LFDF-7.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

U-DFN2020-6 (Type F)
Série

-
RDS On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 11A, 10V
Ztráta energie (Max)

2.02W (Ta)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

6-UDFN Exposed Pad
Ostatní jména

DMN3016LFDF-7-ND
DMN3016LFDF-7DITR
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Výrobní standardní doba výroby

16 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

30V
Detailní popis

N-Channel 30V 12A (Ta) 2.02W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „DMN3016LFDF-7“.

DMN3018SFG-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LDN-7

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Popis: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LFDE-13

Popis: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3018SSS-13

Popis: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3018SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3018SFGQ-7

Popis: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LFDE-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3018SSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Popis: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3015LSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3020LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Popis: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3016LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMN3018SFGQ-13

Popis: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.