Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN2011UTS-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5814596

DMN2011UTS-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.68
10+
$0.576
100+
$0.432
500+
$0.317
1000+
$0.245
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN2011UTS-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN2011UTS-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-TSSOP
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    1.3W (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Ostatní jména
    DMN2011UTS-13DICT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    28 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2248pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    N-Channel 20V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN2011UTS-13“.
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Popis: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Popis: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.