Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMG8601UFG-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
615018DMG8601UFG-7 Image.Diodes Incorporated

DMG8601UFG-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.223
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMG8601UFG-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMG8601UFG-7.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.05V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    U-DFN3030-8
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Power - Max
    920mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerUDFN
  • Ostatní jména
    DMG8601UFG-7DITR
    DMG8601UFG7
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    143pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    8.8nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6.1A
  • Číslo základní části
    DMG8601UFG

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMG8601UFG-7“.
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

Popis: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Popis: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Popis: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Popis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

Popis: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG963H50R

DMG963H50R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Popis: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Popis: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.