Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMG3407SSN-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6251916DMG3407SSN-7 Image.Diodes Incorporated

DMG3407SSN-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.125
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMG3407SSN-7
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 30V 4A SC59
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SC-59
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 4.1A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.1W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Ostatní jména
    DMG3407SSN-7DI
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    700pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    P-Channel 30V 4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SC-59
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)
DMG3401LSN-7

DMG3401LSN-7

Popis: MOSFET P-CH 30V 3A SC59

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG302PU-7

DMG302PU-7

Popis: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Popis: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG302PU-13

DMG302PU-13

Popis: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Popis: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Popis: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3402L-7

DMG3402L-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3406L-13

DMG3406L-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG301NU-13

DMG301NU-13

Popis: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3406L-7

DMG3406L-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3404L-7

DMG3404L-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG301NU-7

DMG301NU-7

Popis: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Popis: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení