Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > 1N5407G-T
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
23675651N5407G-T Image.Diodes Incorporated

1N5407G-T

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.39
10+
$0.32
100+
$0.218
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    1N5407G-T
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    1N5407G-T.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.1V @ 3A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    800V
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-201AD
  • Rychlost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    2µs
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    DO-201AD, Axial
  • Ostatní jména
    1N5407GCT
    1N5407GCT-ND
    1N5407GDICT
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 800V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    3A
  • Kapacitní @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Číslo základní části
    1N5407

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „1N5407G-T“.
1N5407-TP

1N5407-TP

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Comchip Technology
Na skladě
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N5407

1N5407

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Fairchild/ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
1N5407G

1N5407G

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N5407TA

1N5407TA

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na skladě
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
1N5408

1N5408

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.