Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > AS4C16M16D2-25BIN
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
676465AS4C16M16D2-25BIN Image.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16D2-25BIN

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.84
10+
$3.483
25+
$3.408
50+
$3.389
209+
$3.039
418+
$3.028
627+
$2.916
1045+
$2.773
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    AS4C16M16D2-25BIN
  • Výrobce / značka
    Alliance Memory, Inc.
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    AS4C16M16D2-25BIN.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    15ns
  • Napětí - Supply
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technika
    SDRAM - DDR2
  • Dodavatel zařízení Package
    84-TFBGA (12.5x8)
  • Série
    -
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    84-TFBGA
  • Ostatní jména
    1450-2374
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    256Mb (16M x 16)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-TFBGA (12.5x8)
  • Frekvence hodin
    400MHz
  • přístupová doba
    400ps

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „AS4C16M16D2-25BIN“.
AS4C16M16D1-5TCNTR

AS4C16M16D1-5TCNTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16MD1-6BIN

AS4C16M16MD1-6BIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16S-6BINTR

AS4C16M16S-6BINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D2-25BINTR

AS4C16M16D2-25BINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D1-5TINTR

AS4C16M16D1-5TINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D1A-5TINTR

AS4C16M16D1A-5TINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16MD1-6BCNTR

AS4C16M16MD1-6BCNTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D1-5TCN

AS4C16M16D1-5TCN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16MSA-6BIN

AS4C16M16MSA-6BIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16MD1-6BINTR

AS4C16M16MD1-6BINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16MD1-6BCN

AS4C16M16MD1-6BCN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16S-6BIN

AS4C16M16S-6BIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D1-5TIN

AS4C16M16D1-5TIN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16MSA-6BINTR

AS4C16M16MSA-6BINTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16S-6TAN

AS4C16M16S-6TAN

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D1A-5TCNTR

AS4C16M16D1A-5TCNTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
AS4C16M16D2-25BCNTR

AS4C16M16D2-25BCNTR

Popis: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Výrobci: Alliance Memory, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.