Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SVD5865NLT4G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3072825SVD5865NLT4G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD5865NLT4G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.341
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SVD5865NLT4G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SVD5865NLT4G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    DPAK
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 19A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3.1W (Ta), 71W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    NVD5865NLT4G-ND
    NVD5865NLT4GOSTR
    SVD5865NLT4G
    SVD5865NLT4GOSTR
    SVD5865NLT4GOSTR-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 10A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 46A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SVD5865NLT4G“.
IRF3709

IRF3709

Popis: MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
NTD4865NT4G

NTD4865NT4G

Popis: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IXFX120N25

IXFX120N25

Popis: MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
SI7356ADP-T1-GE3

SI7356ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SVD5867NLT4G

SVD5867NLT4G

Popis: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRFR3418TRLPBF

IRFR3418TRLPBF

Popis: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB90R340C3ATMA1

IPB90R340C3ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 900V 15A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
STT4P3LLH6

STT4P3LLH6

Popis: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
AOB11S65L

AOB11S65L

Popis: MOSFET N-CH 650V 11A TO263

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
SVD2955T4G

SVD2955T4G

Popis: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IPP50R299CPHKSA1

IPP50R299CPHKSA1

Popis: MOSFET N-CH 550V TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SVD14N03RT4G

SVD14N03RT4G

Popis: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SVD5803NT4G

SVD5803NT4G

Popis: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPP60R280P7XKSA1

IPP60R280P7XKSA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
TK8Q65W,S1Q

TK8Q65W,S1Q

Popis: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
NTB45N06LG

NTB45N06LG

Popis: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NP109N04PUK-E1-AY

NP109N04PUK-E1-AY

Popis: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.