Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > NVJS4151PT1G

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

5171648

NVJS4151PT1G Image.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVJS4151PT1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

3000+

$0.161

Online poptávka

Specifikace

Part Number

NVJS4151PT1G
Výrobce / značka

AMI Semiconductor/onsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

NVJS4151PT1G.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
RDS On (Max) @ Id, Vgs

67 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Ztráta energie (Max)

1.2W (Ta)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ostatní jména

NVJS4151PT1G-ND
NVJS4151PT1GOSTR
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

44 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

1.5V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

20V
Detailní popis

P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „NVJS4151PT1G“.

DMN2011UFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

IRF7426TR

Popis: MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

FDMS8672S

FDMS8672S

Popis: MOSFET N-CH 30V 17A POWER56

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

2SK3662(F)

Popis: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

AO3404A_104

AO3404A_104

Popis: MOSFET N-CH 30V SOT23

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Na skladě

IPA60R190E6XKSA1

IPA60R190E6XKSA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

NVJD5121NT1G

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FQP5N20L

FQP5N20L

Popis: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

FDN338P

FDN338P

Popis: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RE1J002YNTCL

Popis: MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RV2C001ZPT2L

Popis: MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

SPU30P06P

Popis: MOSFET P-CH 60V 30A IPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

AOK40N30L

Popis: MOSFET N-CH 300V 40A TO247

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Na skladě

IRFR3505TRPBF

IRFR3505TRPBF

Popis: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

NVJS4405NT1G

Popis: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

NVJD4401NT1G

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

Popis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

STP24NM60N

Popis: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Výrobci: STMicroelectronics

Na skladě

SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.