Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > NVATS5A112PLZT4G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1332276NVATS5A112PLZT4G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVATS5A112PLZT4G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.467
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NVATS5A112PLZT4G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NVATS5A112PLZT4G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    ATPAK
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    43 mOhm @ 13A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    48W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    NVATS5A112PLZT4G-ND
    NVATS5A112PLZT4GOSTR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1450pF @ 20V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    33.5nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    P-Channel 60V 27A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount ATPAK
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    27A (Ta)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NVATS5A112PLZT4G“.
STH410N4F7-6AG

STH410N4F7-6AG

Popis: MOSFET N-CH 40V H2PAK-6

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
NVATS4A102PZT4G

NVATS4A102PZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 30V 44A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVA4153NT1G

NVA4153NT1G

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.915A SC75

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVATS5A114PLZT4G

NVATS5A114PLZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVAR-02VS

NVAR-02VS

Popis: CONN SOCKET 2POS 7.92MM WHITE

Výrobci: JST
Na skladě
RFQ
NVATS5A107PLZT4G

NVATS5A107PLZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 40V 55A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVATS68301PZT4G

NVATS68301PZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVATS4A104PZT4G

NVATS4A104PZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVATS5A302PLZT4G

NVATS5A302PLZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVA4001NT1G

NVA4001NT1G

Popis: MOSFET N-CH 20V SC75

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVATS4A103PZT4G

NVATS4A103PZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRL1104PBF

IRL1104PBF

Popis: MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
NVATS5A304PLZT4G

NVATS5A304PLZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 60V 120A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NVATS5A113PLZT4G

NVATS5A113PLZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVATS4A101PZT4G

NVATS4A101PZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVATS5A108PLZT4G

NVATS5A108PLZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
2SJ661-1EX

2SJ661-1EX

Popis: MOSFET P-CH I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRFH5255TRPBF

IRFH5255TRPBF

Popis: MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G

Popis: MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.