Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > NSVB1706DMW5T1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
771833NSVB1706DMW5T1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVB1706DMW5T1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
6000+
$0.079
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NSVB1706DMW5T1G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NSVB1706DMW5T1G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    47 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    4.7 kOhms
  • Power - Max
    250mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    4 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    -
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NSVB1706DMW5T1G“.
NSVBAS16TT1G

NSVBAS16TT1G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVB114YPDXV6T1G

NSVB114YPDXV6T1G

Popis: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSV60600MZ4T3G

NSV60600MZ4T3G

Popis: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSV60601MZ4T3G

NSV60601MZ4T3G

Popis: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVBAS21AHT1G

NSVBAS21AHT1G

Popis: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVB143TPDXV6T1G

NSVB143TPDXV6T1G

Popis: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVBAS16WT3G

NSVBAS16WT3G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVB124XPDXV6T1G

NSVB124XPDXV6T1G

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVBAS20LT3G

NSVBAS20LT3G

Popis: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVBAS19LT1G

NSVBAS19LT1G

Popis: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVBAS21HT3G

NSVBAS21HT3G

Popis: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVBAS21HT1G

NSVBAS21HT1G

Popis: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVBA114EDXV6T1G

NSVBA114EDXV6T1G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVB143ZPDXV6T1G

NSVB143ZPDXV6T1G

Popis: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSV60601MZ4T1G

NSV60601MZ4T1G

Popis: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVBA114YDXV6T1G

NSVBA114YDXV6T1G

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSV9435T1G

NSV9435T1G

Popis: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVB144EPDXV6T1G

NSVB144EPDXV6T1G

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NSVBAS116LT3G

NSVBAS116LT3G

Popis: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.