Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > NGTD20T120F2WP
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5248962

NGTD20T120F2WP

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
127+
$2.68
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    NGTD20T120F2WP
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    NGTD20T120F2WP.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.4V @ 15V, 20A
  • Zkušební podmínky
    -
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    -
  • přepínání energie
    -
  • Dodavatel zařízení Package
    Die
  • Série
    -
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    Die
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Výrobní standardní doba výroby
    4 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    Trench Field Stop
  • Detailní popis
    IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    100A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „NGTD20T120F2WP“.
NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD21T65F2WP

NGTD21T65F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD17T65F2WP

NGTD17T65F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Popis: DIODE GEN PURP 650V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD23T120F2SWK

NGTD23T120F2SWK

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Popis: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.