Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > MVB50P03HDLT4G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1391812

MVB50P03HDLT4G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MVB50P03HDLT4G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    MVB50P03HDLT4G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D2PAK-3
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 25A, 5V
  • Ztráta energie (Max)
    125W (Tc)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4.9nF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MVB50P03HDLT4G“.
FDD390N15ALZ

FDD390N15ALZ

Popis: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

Popis: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
IXTK60N50L2

IXTK60N50L2

Popis: MOSFET N-CH 500V 60A TO-264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IRFI644G

IRFI644G

Popis: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
NTMFS4C06NT3G

NTMFS4C06NT3G

Popis: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTMFS4897NFT3G

NTMFS4897NFT3G

Popis: MOSFET N-CH 30V SO-8FL

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTD4810NH-35G

NTD4810NH-35G

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
BSP179H6327XTSA1

BSP179H6327XTSA1

Popis: MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Popis: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

Popis: MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
STP180N55F3

STP180N55F3

Popis: MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
BUZ73AE3046XK

BUZ73AE3046XK

Popis: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IRL1104S

IRL1104S

Popis: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Popis: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
IRFD320

IRFD320

Popis: MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.