Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > ISL9R860S3ST
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3452515ISL9R860S3ST Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ISL9R860S3ST

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
800+
$0.919
1600+
$0.762
2400+
$0.709
5600+
$0.70
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ISL9R860S3ST
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    ISL9R860S3ST.pdf
  • ECAD model
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    2.4V @ 8A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    600V
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-263AB (D²PAK)
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Stealth™
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    30ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    ISL9R860S3ST-ND
    ISL9R860S3STTR
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    100µA @ 600V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    8A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -
  • Číslo základní části
    ISL9R860

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ISL9R860S3ST“.
ISL9V2540S3S

ISL9V2540S3S

Popis: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9V3036D3ST

ISL9V3036D3ST

Popis: IGBT 360V 21A 150W TO252AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R460S3ST

ISL9R460S3ST

Popis: DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9V2040S3S

ISL9V2040S3S

Popis: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R3060G2

ISL9R3060G2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9V2040D3S

ISL9V2040D3S

Popis: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9V2040S3ST

ISL9V2040S3ST

Popis: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

Popis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R460P2

ISL9R460P2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R8120S3ST

ISL9R8120S3ST

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263

Výrobci: Fairchild/ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9V3036P3

ISL9V3036P3

Popis: IGBT 360V 21A 150W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9V2540S3ST

ISL9V2540S3ST

Popis: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9V3036D3S

ISL9V3036D3S

Popis: IGBT 360V 21A 150W TO252AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R860P2

ISL9R860P2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R3060P2

ISL9R3060P2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R860PF2

ISL9R860PF2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

Popis: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9V2040P3

ISL9V2040P3

Popis: IGBT 430V 10A 130W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R8120P2

ISL9R8120P2

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.