Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > ISL9N302AP3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3218617

ISL9N302AP3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ISL9N302AP3
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.ISL9N302AP3.pdf
    2.ISL9N302AP3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220AB
  • Série
    UltraFET™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 75A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    345W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    11000pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ISL9N302AP3“.
ISL9N303AS3

ISL9N303AS3

Popis: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R1560G2-F085

ISL9R1560G2-F085

Popis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9K8120P3

ISL9K8120P3

Popis: DIODE ARRAY GP 1200V 8A TO220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9N303AS3ST

ISL9N303AS3ST

Popis: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL99227IRZ-T7A

ISL99227IRZ-T7A

Popis: SMART POWER STAGE (SPS) MODULE W

Výrobci: Intersil
Na skladě
RFQ
ISL99227IRZ-T

ISL99227IRZ-T

Popis: IC MODULE SPS 3.3V 32-PQFN

Výrobci: Intersil
Na skladě
RFQ
ISL9K860P3

ISL9K860P3

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9K3060G3

ISL9K3060G3

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9K1560G3

ISL9K1560G3

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL99227IRZ

ISL99227IRZ

Popis: IC MODULE SPS 3.3V 32-PQFN

Výrobci: Intersil
Na skladě
RFQ
ISL9R1560G2

ISL9R1560G2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R1560P2

ISL9R1560P2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9K18120G3

ISL9K18120G3

Popis: DIODE ARRAY GP 1200V 18A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9N302AS3

ISL9N302AS3

Popis: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9K30120G3

ISL9K30120G3

Popis: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9N302AS3ST

ISL9N302AS3ST

Popis: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9N303AP3

ISL9N303AP3

Popis: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R1560P2-F085

ISL9R1560P2-F085

Popis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9R1560PF2

ISL9R1560PF2

Popis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
ISL9K460P3

ISL9K460P3

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 4A TO220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.