Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > HGTP5N120BND
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5413864

HGTP5N120BND

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
800+
$1.82
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    HGTP5N120BND
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.HGTP5N120BND.pdf
    2.HGTP5N120BND.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 5A
  • Zkušební podmínky
    960V, 5A, 25 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    22ns/160ns
  • přepínání energie
    450µJ (on), 390µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220AB
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    65ns
  • Power - Max
    167W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    53nC
  • Detailní popis
    IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    40A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    21A

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „HGTP5N120BND“.
HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

Popis: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP7N60A4

HGTP7N60A4

Popis: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP3N60A4

HGTP3N60A4

Popis: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP7N60A4D

HGTP7N60A4D

Popis: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D

Popis: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP10N120BN

HGTP10N120BN

Popis: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP7N60A4-F102

HGTP7N60A4-F102

Popis: N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Popis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG40N60A4

HGTG40N60A4

Popis: IGBT 600V 75A 625W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP20N60A4

HGTP20N60A4

Popis: IGBT 600V 70A 290W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

Popis: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

Popis: IGBT 1200V 21A 167W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

Popis: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

Popis: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP12N60C3

HGTP12N60C3

Popis: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG7N60A4

HGTG7N60A4

Popis: IGBT 600V 34A 125W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP7N60C3D

HGTP7N60C3D

Popis: IGBT 600V 14A 60W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

Popis: IGBT 600V 63A 208W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D

Popis: IGBT 600V 14A 60W TO220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
HGTG7N60A4D

HGTG7N60A4D

Popis: IGBT 600V 34A 125W TO247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.