Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FQT1N80TF-WS
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2304371

FQT1N80TF-WS

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.25
10+
$1.109
100+
$0.876
500+
$0.679
1000+
$0.536
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FQT1N80TF-WS
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.FQT1N80TF-WS.pdf
    2.FQT1N80TF-WS.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-223-3
  • Série
    QFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    20 Ohm @ 100mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.1W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-261-4, TO-261AA
  • Ostatní jména
    FQT1N80TF-WSCT
    FQT1N80TF_WSCT
    FQT1N80TF_WSCT-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    6 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    195pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    7.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    200mA (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FQT1N80TF-WS“.
FQT2P25TF

FQT2P25TF

Popis: MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQT7N10TF

FQT7N10TF

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQT4N25TF

FQT4N25TF

Popis: MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDD86252

FDD86252

Popis: MOSFET N-CH 150V 5A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPD60R1K0CEATMA1

IPD60R1K0CEATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
FQT-1BK

FQT-1BK

Popis: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK

Výrobci: Essentra Components
Na skladě
RFQ
FQT-1

FQT-1

Popis: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE

Výrobci: Essentra Components
Na skladě
RFQ
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRFU9214PBF

IRFU9214PBF

Popis: MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IPP60R750E6XKSA1

IPP60R750E6XKSA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
FQT13N06TF

FQT13N06TF

Popis: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQT3P20TF-SB82100

FQT3P20TF-SB82100

Popis: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQT5P10TF

FQT5P10TF

Popis: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQT1N60CTF-WS

FQT1N60CTF-WS

Popis: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQT4N20TF

FQT4N20TF

Popis: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQT13N06LTF

FQT13N06LTF

Popis: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

Popis: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQT3P20TF

FQT3P20TF

Popis: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPA60R180C7XKSA1

IPA60R180C7XKSA1

Popis: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
TPCA8062-H,LQ(CM

TPCA8062-H,LQ(CM

Popis: MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.