Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FQE10N20CTU
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5629633FQE10N20CTU Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQE10N20CTU

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FQE10N20CTU
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    FQE10N20CTU.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-126
  • Série
    QFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 2A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    12.8W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-225AA, TO-126-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    200V
  • Detailní popis
    N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FQE10N20CTU“.
FQE10N20LCTU

FQE10N20LCTU

Popis: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SPP03N60C3HKSA1

SPP03N60C3HKSA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
STD100NH02LT4

STD100NH02LT4

Popis: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
PMN20EN,115

PMN20EN,115

Popis: MOSFET N-CH 30V 6TSOP

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPB407N30NATMA1

IPB407N30NATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
AO3434A

AO3434A

Popis: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
IRF6648TRPBF

IRF6648TRPBF

Popis: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IXTC180N085T

IXTC180N085T

Popis: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH20N100P

IXFH20N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IPI100N06S3L-03

IPI100N06S3L-03

Popis: MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Popis: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IPD90R1K2C3ATMA1

IPD90R1K2C3ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06T4

Popis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
IRFR540ZPBF

IRFR540ZPBF

Popis: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
PMZB420UN,315

PMZB420UN,315

Popis: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

Výrobci: Nexperia
Na skladě
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
STP10NK70Z

STP10NK70Z

Popis: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
BSC022N03SG

BSC022N03SG

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.