Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FQA7N80_F109
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3563259FQA7N80_F109 Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA7N80_F109

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FQA7N80_F109
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    FQA7N80_F109.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-3PN
  • Série
    QFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 3.6A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    198W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1850pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 7.2A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Tc)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FQA7N80_F109“.
FQA7N80C-F109

FQA7N80C-F109

Popis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

Popis: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA70N15

FQA70N15

Popis: MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P

Výrobci: Fairchild/ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA85N06

FQA85N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA7N60

FQA7N60

Popis: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA7N90_F109

FQA7N90_F109

Popis: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA8N90C-F109

FQA8N90C-F109

Popis: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA7N80

FQA7N80

Popis: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA7N90M

FQA7N90M

Popis: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA6N90

FQA6N90

Popis: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA6N90C-F109

FQA6N90C-F109

Popis: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA8N100C

FQA8N100C

Popis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA8N80C

FQA8N80C

Popis: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA7N90

FQA7N90

Popis: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA70N10

FQA70N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA8N90C

FQA8N90C

Popis: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA6N80_F109

FQA6N80_F109

Popis: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA7N90M_F109

FQA7N90M_F109

Popis: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA7N80C

FQA7N80C

Popis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

Popis: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.