Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FDP023N08B-F102
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1243830

FDP023N08B-F102

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.79
10+
$3.381
100+
$2.772
500+
$2.245
1000+
$1.893
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FDP023N08B-F102
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    FDP023N08B-F102.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220-3
  • Série
    PowerTrench®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.35 mOhm @ 75A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    245W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Ostatní jména
    FDP023N08B_F102
    FDP023N08B_F102-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    13765pF @ 37.5V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    195nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    75V
  • Detailní popis
    N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FDP023N08B-F102“.
FDP038AN06A0-F102

FDP038AN06A0-F102

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP-1000

FDP-1000

Popis: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
FDP-500

FDP-500

Popis: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
FDP-1500

FDP-1500

Popis: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
FDP038AN06A0

FDP038AN06A0

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP039N08B-F102

FDP039N08B-F102

Popis: MOSFET N CH 80V 120A TO-220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP025N06

FDP025N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP-N500

FDP-N500

Popis: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102

Popis: MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP020N06B-F102

FDP020N06B-F102

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP032N08

FDP032N08

Popis: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

Výrobci: Fairchild/ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP027N08B-F102

FDP027N08B-F102

Popis: MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP030N06

FDP030N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP027N08B

FDP027N08B

Popis: MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP-N1500

FDP-N1500

Popis: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
FDP030N06B-F102

FDP030N06B-F102

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP040N06

FDP040N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP-N1000

FDP-N1000

Popis: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
FDP036N10A

FDP036N10A

Popis: MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDP032N08-F102

FDP032N08-F102

Popis: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.