Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FDN5630
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1213792

FDN5630

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.51
10+
$0.426
100+
$0.32
500+
$0.234
1000+
$0.181
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FDN5630
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.FDN5630.pdf
    2.FDN5630.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SuperSOT-3
  • Série
    PowerTrench®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 1.7A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    500mW (Ta)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Ostatní jména
    FDN5630_F095DKR
    FDN5630_F095DKR-ND
    FDN5630DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    42 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    6V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FDN5630“.
FDN361AN

FDN361AN

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN342P

FDN342P

Popis: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Popis: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN357N

FDN357N

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN537N

FDN537N

Popis: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Výrobci: Fairchild/ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN371N

FDN371N

Popis: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN86265P

FDN86265P

Popis: MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Popis: INTEGRATED CIRCUIT

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN372S

FDN372S

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN86246

FDN86246

Popis: MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Popis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Popis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Popis: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN86501LZ

FDN86501LZ

Popis: MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN360P

FDN360P

Popis: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN8601

FDN8601

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Popis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDN358P

FDN358P

Popis: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.