FDJ128N

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Online poptávka

Specifikace

Part Number

FDJ128N
Výrobce / značka

AMI Semiconductor/onsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

FDJ128N.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

SC75-6 FLMP
Série

PowerTrench®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Ztráta energie (Max)

1.6W (Ta)
Obal

Cut Tape (CT)
Paket / krabice

SC75-6 FLMP
Ostatní jména

FDJ128N_NLCT
FDJ128N_NLCT-ND
FDJ128NCT
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

543pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

2.5V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

20V
Detailní popis

N-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

Následuje produkty související s „FDJ128N“.

IXTP54N30T

Popis: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IRFR1205TRR

Popis: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

Výrobci: Infineon Technologies

Na skladě

RFQ

FDJ1028N

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

FDJ1032C

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

FDJ127P

Popis: MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

BSC120N03LSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

RFQ

FDJ1027P

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

FDD86367-F085

Popis: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

TSM160P04LCRHRLG

Popis: MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na skladě

RFQ

IPU60R2K1CEAKMA1

Popis: CONSUMER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

RFQ

IRFSL4127PBF

Popis: MOSFET N-CH 200V 72A TO-262

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

RFQ

FDJ129P

Popis: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

BSP372NH6327XTSA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

RFQ

FDJ129P_F077

Popis: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

FDJ128N_F077

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

IRLBA1304P

Popis: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

RFQ

STW45N60DM2AG

Popis: MOSFET N-CH 600V 34A

Výrobci: STMicroelectronics

Na skladě

RFQ

WPB4001-1E

Popis: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

IXTQ36N20T

Popis: MOSFET N-CH 200V TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

GP1M005A050FSH

Popis: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

FDJ128N

Žádost o nabídku

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

IXTP54N30T

IRFR1205TRR

FDJ1028N

FDJ1032C

FDJ127P

BSC120N03LSGATMA1

FDJ1027P

FDD86367-F085

TSM160P04LCRHRLG

IPU60R2K1CEAKMA1

IRFSL4127PBF

FDJ129P

BSP372NH6327XTSA1

FDJ129P_F077

FDJ128N_F077

IRLBA1304P

STW45N60DM2AG

WPB4001-1E

IXTQ36N20T

GP1M005A050FSH

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk