Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FDI047AN08A0
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6023695

FDI047AN08A0

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FDI047AN08A0
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    FDI047AN08A0.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    I2PAK (TO-262)
  • Série
    PowerTrench®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    310W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    6600pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    138nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    6V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    75V
  • Detailní popis
    N-Channel 75V 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FDI047AN08A0“.
FDI8441_F085

FDI8441_F085

Popis: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI33N25TU

FDI33N25TU

Popis: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI14-187Q

FDI14-187Q

Popis: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Výrobci: 3M
Na skladě
RFQ
FDI18-187Q

FDI18-187Q

Popis: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Výrobci: 3M
Na skladě
RFQ
FDI030N06

FDI030N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI8442

FDI8442

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI3632

FDI3632

Popis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI2532

FDI2532

Popis: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI040N06

FDI040N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI14-250C

FDI14-250C

Popis: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Výrobci: 3M
Na skladě
RFQ
FDI3652

FDI3652

Popis: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI045N10A

FDI045N10A

Popis: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102

Popis: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI8441

FDI8441

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI18-250Q

FDI18-250Q

Popis: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Výrobci: 3M
Na skladě
RFQ
FDI14-250Q

FDI14-250Q

Popis: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Výrobci: 3M
Na skladě
RFQ
FDI150N10

FDI150N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI10-250Q

FDI10-250Q

Popis: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Výrobci: 3M
Na skladě
RFQ
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDI025N06

FDI025N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 265A TO-262

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.