Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > FDA59N25
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
793242FDA59N25 Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDA59N25

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.62
10+
$3.235
450+
$2.394
900+
$1.941
1350+
$1.812
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    FDA59N25
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    FDA59N25.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-3PN
  • Série
    UniFET™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    49 mOhm @ 29.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    392W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4020pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    82nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    250V
  • Detailní popis
    N-Channel 250V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    59A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „FDA59N25“.
FDA38N30

FDA38N30

Popis: MOSFET N-CH 300V TO-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDA620009

FDA620009

Popis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FDA28N50

FDA28N50

Popis: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDA450LV-T

FDA450LV-T

Popis: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
FDA69N25

FDA69N25

Popis: MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P

Výrobci: Fairchild/ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDA620005

FDA620005

Popis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FDA50N50

FDA50N50

Popis: MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDA70N20

FDA70N20

Popis: MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDA4100LV

FDA4100LV

Popis: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
FDA620008

FDA620008

Popis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FDA2712

FDA2712

Popis: MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDA4100LV-T

FDA4100LV-T

Popis: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
FDA33N25

FDA33N25

Popis: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDA620006

FDA620006

Popis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FDA450LV

FDA450LV

Popis: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
FDA620010

FDA620010

Popis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FDA620007

FDA620007

Popis: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FDA28N50F

FDA28N50F

Popis: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDA59N30

FDA59N30

Popis: MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDA62N28

FDA62N28

Popis: MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.