Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > BVSS138LT1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2976522BVSS138LT1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS138LT1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.43
10+
$0.391
100+
$0.219
500+
$0.117
1000+
$0.08
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    BVSS138LT1G
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    BVSS138LT1G.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-23-3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 200mA, 5V
  • Ztráta energie (Max)
    225mW (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Ostatní jména
    BVSS138LT1GOSCT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    40 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    50V
  • Detailní popis
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „BVSS138LT1G“.
SSM5G10TU(TE85L,F)

SSM5G10TU(TE85L,F)

Popis: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ

Popis: MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
STD90N4F3

STD90N4F3

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
SIA814DJ-T1-GE3

SIA814DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
PSMN2R6-60PSQ

PSMN2R6-60PSQ

Popis: MOSFET N-CH 60V 150A TO-220

Výrobci: Nexperia
Na skladě
RFQ
IPS090N03LGBKMA1

IPS090N03LGBKMA1

Popis: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A TO251-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IRL1404PBF

IRL1404PBF

Popis: MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Popis: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Výrobci: MPD (Memory Protection Devices)
Na skladě
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Popis: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Výrobci: MPD (Memory Protection Devices)
Na skladě
RFQ
BUZ30AHXKSA1

BUZ30AHXKSA1

Popis: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IRFD224PBF

IRFD224PBF

Popis: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IPP03N03LB G

IPP03N03LB G

Popis: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
TPCF8A01(TE85L)

TPCF8A01(TE85L)

Popis: MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Popis: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

Popis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
AOTF10N50FD_001

AOTF10N50FD_001

Popis: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
IRF3314STRR

IRF3314STRR

Popis: MOSFET N-CH 150V D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
NVMFS6B25NLWFT3G

NVMFS6B25NLWFT3G

Popis: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
DN3765K4-G

DN3765K4-G

Popis: MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

Výrobci: Micrel / Microchip Technology
Na skladě
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Popis: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Výrobci: MPD (Memory Protection Devices)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.