Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > 3LP01C-TB-E
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
47861923LP01C-TB-E Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LP01C-TB-E

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    3LP01C-TB-E
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 30V 100MA CP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    3LP01C-TB-E.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    3-CP
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    10.4 Ohm @ 50mA, 4V
  • Ztráta energie (Max)
    250mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    7.5pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    1.43nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.5V, 4V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „3LP01C-TB-E“.
AUIRFR2307Z

AUIRFR2307Z

Popis: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IRLU3714

IRLU3714

Popis: MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
3LP01C-TB-H

3LP01C-TB-H

Popis: MOSFET P-CH 30V 100MA CP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IRFP460BPBF

IRFP460BPBF

Popis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
AOD498

AOD498

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
3LP01SS-TL-E

3LP01SS-TL-E

Popis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NX3008NBK,215

NX3008NBK,215

Popis: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

Výrobci: Nexperia
Na skladě
RFQ
3LP01S-TL-E

3LP01S-TL-E

Popis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IXTT82N25P

IXTT82N25P

Popis: MOSFET N-CH 250V 82A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH12N90

IXFH12N90

Popis: MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
3LP01M-TL-H

3LP01M-TL-H

Popis: MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1

Popis: MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
3LP01M-TL-E

3LP01M-TL-E

Popis: MOSFET P-CH 30V 0.1A

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
3LP01S-K-TL-E

3LP01S-K-TL-E

Popis: MOSFET P-CH 30V 0.1A

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
3LP01SS-TL-H

3LP01SS-TL-H

Popis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
3LP01SS-TL-EX

3LP01SS-TL-EX

Popis: MOSFET P-CH 30V SOT-623

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
CSD19501KCS

CSD19501KCS

Popis: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Výrobci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na skladě
RFQ
IRF7455PBF

IRF7455PBF

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
STP12N60M2

STP12N60M2

Popis: MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.