Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > 3LN01C-TB-H
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
24125543LN01C-TB-H Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01C-TB-H

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    3LN01C-TB-H
  • Výrobce / značka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    3LN01C-TB-H.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    3-CP
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Ztráta energie (Max)
    250mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.5V, 4V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    150mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „3LN01C-TB-H“.
IXTC75N10

IXTC75N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IRL3803STRRPBF

IRL3803STRRPBF

Popis: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

Popis: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

Popis: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

Popis: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IXFH36N60P

IXFH36N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
FDZ298N

FDZ298N

Popis: MOSFET N-CH 20V 6A BGA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

Popis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
DMP2021UFDF-7

DMP2021UFDF-7

Popis: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
IRFHM4231TRPBF

IRFHM4231TRPBF

Popis: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPN80R2K4P7ATMA1

IPN80R2K4P7ATMA1

Popis: COOLMOS P7 800V SOT-223

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
PHD36N03LT,118

PHD36N03LT,118

Popis: MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
RFQ
FQAF6N80

FQAF6N80

Popis: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
2N7225

2N7225

Popis: MOSFET N-CH 200V TO-254AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
STB7NK80Z-1

STB7NK80Z-1

Popis: MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Popis: MOSFET N-CH 40V 135A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Popis: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

Popis: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

Popis: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
3LN01C-TB-E

3LN01C-TB-E

Popis: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.