Dne 29. srpna 2024 oznámila SK Hynix první úspěšný vývoj 16 GB (Gigabit) DDR5 DRAM na světě pomocí procesu nanometru šesté generace 10 (1C).Výsledkem je, že společnost prokázala světu svou technologii ultra jemného skladování s průměrem něco přes 10 nanometrů.
SK Hynix zdůraznil: „S generací generací přenosu 10 technologie nanometrů DRAM se také zvýšila potíže s mikrofabrikací. Společnost však zlepšila dokončení návrhu založené na technologii páté generace (1B) uznávané pro svůj nejvyšší výkon vodvětví a ujal se vedení v prolomení technologických limitů.
Společnost vyvinula proces 1C rozšířením platformy 1B DRAM.Technologický tým SK Hynix se domnívá, že to může nejen snížit možnost pokusů a omylů během procesu upgradu procesu, ale také účinně převádět procesní výhodu SK Hynix 1b, která je uznána za jeho nejvyšší výkon DRAM v oboru, do1C proces.
SK Hynix navíc vyvinula a aplikovala nové materiály v některých procesech EUV a optimalizovala procesy použitelné EUV během celého procesu, čímž zajistila konkurenceschopnost nákladové náklady.Současně byla v procesu 1C provedena také inovace designu technologií a ve srovnání s předchozím procesem generace 1B se její produktivita zvýšila o více než 30%.
Toto 1C DDR5 DRAM bude používáno hlavně ve vysoce výkonných datových centrech, s rychlostí běhu 8 Gb / s (8 gigabitů za sekundu), což je 11% nárůst rychlosti ve srovnání s předchozí generací.Kromě toho se energetická účinnost také zvýšila o více než 9%.S příchodem AI éry se spotřeba energie v datových centrech stále zvyšuje.Pokud globální zákazníci provozující cloudové služby přijme SK Hynix 1C DRAM ve svých datových centrech, společnost předpovídá, že jejich účty za elektřinu lze snížit až o 30%.
Viceprezident SK Hynix Dram Development Kim Jong Hwan řekl: „Procesní technologie 1C kombinuje nejvyšší výkon a náklady na konkurenceschopnost a společnost ji aplikuje na nejnovější generaci HBM *, LPDDR6 *, GDDR7 *a další pokročilé hlavní produktové skupiny DRAM.Tímto poskytnutím diferencované hodnoty zákazníkům.
*HBM (paměť s vysokou šířkou pásma): Vysoký výkon s vysokou přidanou hodnotou, vysoce výkonný produkt, který vertikálně spojuje více DRAM a výrazně zlepšuje rychlost zpracování dat ve srovnání s DRAM.Výrobky HBM DRAM jsou vyvíjeny v pořadí HBM (první generace) - HBM2 (druhá generace) - HBM2E (třetí generace) - HBM3 (čtvrtá generace) - HBM3E (pátá generace) - HBM4 (šestá generace) - HBM4E (sedmá generace).
*LPDDR (Low Power Double Data Rate): Jedná se o specifikaci DRAM používané v mobilních produktech, jako jsou chytré telefony a tablety, s cílem minimalizovat spotřebu energie a s nízkým napětím.Název specifikace je LP (Low Power) a nejnovější specifikací je LPDDR Sedmá generace (5x), vyvinutá v řádu 1-2-3-4x-5x-6.
;Specifikace speciálně navržená pro zpracování grafiky, tato řada produktů je vyvinuta v řádu 3, 5, 5x, 6 a 7. Čím novější série, tím rychlejší běží a vyšší energetická účinnost.Tento produkt přitahoval pozornost jako vysoce výkonná paměť široce používaná v oblasti grafiky a umělé inteligence.
